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IGBT / 50 A ±30V max. , 1200 V 395 W, 3-Pin TO-247N


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2236324
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGS50TSX2GC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 395 W
Gehäusegröße = TO-247N
Pinanzahl = 3

Der Rohm Feldstopp-Trench-IGBT wird hauptsächlich in PFC, UPS, IH und Power Conditioner verwendet. Die Verlustleistung beträgt 395 Watts.Niedriger Kollektor - Emitter-Sättigungsspannung Kurzschlussfestigkeit: 10 μs RoHS-konform
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
395 W
Gehäusegröße:
TO-247N
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: 2236324, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGS50TSX2GC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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