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| Artikel-Nr.:
3794E-2250571 Herst.-Nr.:
IHW30N65R6XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 160 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten Geringe elektromagnetische Störungen Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 65 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Verlustleistung max.: | 160 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2250571, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW30N65R6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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