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| Artikel-Nr.:
3794E-2250575 Herst.-Nr.:
IHW50N65R6XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 83 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 251 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Der Infineon IHW50N65R6 ist der 650-V-, 50-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.Frequenzbereich: 20-75 kHz Geringe elektromagnetische Störungen Sehr enge Parameter Verteilung Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 83 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 251 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2250575, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW50N65R6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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