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| Artikel-Nr.:
3794E-2250577 Herst.-Nr.:
IPDQ60R010S7AXTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = QDPAK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand max. = 0,01 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPDQ60R010S7A
Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.Minimiert Leitungsverluste Erhöht die Energieeffizienz Kompaktere und einfachere Designs Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | QDPAK | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 22 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,01 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPDQ60R010S7A |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2250577, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPDQ60R010S7AXTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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