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Infineon IPDQ60R010S7A IPDQ60R010S7AXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 22-Pin QDPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     3794E-2250578
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPDQ60R010S7AXTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = QDPAK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand max. = 0,01 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPDQ60R010S7A
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
50 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
QDPAK
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
22
Drain-Source-Widerstand max.:
0,01 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
IPDQ60R010S7A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2250578, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPDQ60R010S7AXTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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