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| Artikel-Nr.:
3794E-2250579 Herst.-Nr.:
IPDQ60R010S7XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = IPDQ60R010S7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand max. = 0,01 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon IPDQ60R010S7 ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET und ermöglicht die beste Leistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der MOSFET ist für statische Schaltanwendungen und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais- und Schutzschalterausführungen sowie für die Liner Rektifikation in SMPS- und Wechselrichtertopologien.Minimiert Leitungsverluste Erhöht die Energieeffizienz Kompaktere und einfachere Designs Beseitigt oder reduziert Kühlkörper in Halbleiterbauweise Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | IPDQ60R010S7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 22 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,01 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2250579, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPDQ60R010S7XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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