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| Artikel-Nr.: 3794E-2259911 Herst.-Nr.: SIHB5N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1.3 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = E-Series Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1.3 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | E-Series |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2259911, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB5N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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