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| Artikel-Nr.:
3794E-2259915 Herst.-Nr.:
SIHP15N80AEF-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,35 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = EF-Series Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,35 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | EF-Series |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 13a, 2259915, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP15N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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