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Vishay N-Channel 100 V SIR5102DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2259926
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR5102DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0056 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = N-Channel 100 V
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
110 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0056 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
N-Channel 100 V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 2259926, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR5102DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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