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| Artikel-Nr.: 3794E-2266019 Herst.-Nr.: 2ED2106S06FXUMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Ausgangsstrom = 290 mA Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = DSO
Der Infineon 2ED2106S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V. Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand Weitere Informationen: | | Ausgangsstrom: | 290 mA | Versorgungsspannung: | 20V | Pinanzahl: | 8 | Gehäusegröße: | DSO |
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| Weitere Suchbegriffe: 2266019, Halbleiter, Stromversorgung, Gate-Treiber, Infineon, 2ED2106S06FXUMA1, Semiconductors, Power Management ICs, Gate Drivers |
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