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| Artikel-Nr.:
3794E-2266055 Herst.-Nr.:
FF450R33T3E3BPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 3300 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 1 mW
Gehäusegröße = XHP
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Das Infineon FF450R33T3E3 Dual-IGBT-Modul verfügt über eine hohe Gleichstromstabilität und hohe Kurzschlussfestigkeit mit hoher Zuverlässigkeit und langer Lebensdauer. Er hat eine niedrige Induktivität und reduzierte Systemkosten.Geringe VCEsat Unschlagbare Robustheit TVJ op 150 °C VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 450 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 3300 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 1 mW | Gehäusegröße: | XHP | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2266055, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF450R33T3E3BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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