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| Artikel-Nr.:
3794E-2266077 Herst.-Nr.:
IHW30N120R5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 25V
Verlustleistung max. = 330 W
Gehäusegröße = PG-TO247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.Sehr enge Parameter Verteilung Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 60 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 25V | Verlustleistung max.: | 330 W | Gehäusegröße: | PG-TO247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266077, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW30N120R5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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