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Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2266081
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKA15N65ET6XKSA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Verlustleistung max. = 35,3 W
Gehäusegröße = PG-TO220
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
34 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
30V
Verlustleistung max.:
35,3 W
Gehäusegröße:
PG-TO220
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266081, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKA15N65ET6XKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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