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| Artikel-Nr.:
3794E-2266103 Herst.-Nr.:
IKFW90N60EH3XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 77 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = PG-TO247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Infineon IKFW90N60EH3 ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode, die zu 100 % isolierte Montagefläche verwendet und außerdem eine Hochgeschwindigkeitsschaltung aufweist. Er verfügt über eine einfache Parallelschaltung und muss nicht mit Isoliermaterial und Wärmeleitpaste verwendet werden.Niedrige VCE(sat) Kurzschluss mit Standardzeit5μ sat 175 °C. Positiver Temperaturkoeffizient in VCE(sat) Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 77 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | PG-TO247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266103, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKFW90N60EH3XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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