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| Artikel-Nr.:
3794E-2266112 Herst.-Nr.:
IKW30N65EL5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Verlustleistung max. = 227 W
Gehäusegröße = PG-TO247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.QG mit niedriger Gate-Ladung Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 85 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Verlustleistung max.: | 227 W | Gehäusegröße: | PG-TO247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266112, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW30N65EL5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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