|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2282882 Herst.-Nr.:
SiHS36N50D-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Gehäusegröße = Super-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = D Series Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 36 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Gehäusegröße: | Super-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,13 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | D Series |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 2282882, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHS36N50DGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |