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Vishay TrenchFET SiR450DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 8-Pin PowerPAK SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282898
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiR450DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 113 A
Drain-Source-Spannung max. = 45 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0018 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
113 A
Drain-Source-Spannung max.:
45 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0018 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.3V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: 2282898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR450DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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