| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2282898 Herst.-Nr.: SiR450DP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 113 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0018 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 113 A | Drain-Source-Spannung max.: | 45 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0018 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Transistor-Werkstoff: | Si |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2282898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR450DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |