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| Artikel-Nr.: 3794E-2282924 Herst.-Nr.: SiS590DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Dual Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,167 O, 0,251 O. Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5 V, 2.5 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = TrenchFET Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 Dual | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,167 O, 0,251 O. | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5 V, 2.5 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | TrenchFET |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2282924, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS590DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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