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| Artikel-Nr.: 3794E-2282962 Herst.-Nr.: SQS414CENW-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 W Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Serie = TrenchFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 W | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,023 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2282962, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS414CENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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