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TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282968
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS660CENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 W
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0112 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = TrenchFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
18 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8 W
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0112 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
TrenchFET
Weitere Suchbegriffe: 2282968, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS660CENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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