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| Artikel-Nr.:
3794E-2291721 Herst.-Nr.:
AIKQ120N60CTXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Kollektor-Emitter-Spannung = 2 V
Gate-Source Spannung max. = 5.7V
Verlustleistung max. = 833 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IGBT verfügt über Trenchstop- und Feldstopp-Technologie für 600-V-Kfz-Anwendungen und bietet eine sehr enge Parameterverteilung, hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten und sehr hohe Schaltgeschwindigkeit.Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q100/101 zugelassen Er verfügt über eine niedrige Gate-Ladung Es ist zu 100 Prozent kurzschlussgeprüft Weitere Informationen: | | Kollektor-Emitter-Spannung: | 2 V | Gate-Source Spannung max.: | 5.7V | Verlustleistung max.: | 833 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2291721, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, AIKQ120N60CTXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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