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| Artikel-Nr.:
3794E-2291741 Herst.-Nr.:
AUIRFR5410TRL EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,205 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Serie = AUIRF
Der Infineon-P-Kanal-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Es ist bleifrei Er ist RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,205 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Silicon | Serie: | AUIRF |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2291741, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRFR5410TRL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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