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Infineon IGBT-Modul / 820 A +/-20V max. 6-fach, 750 V 20 mW, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2291788
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS820R08A6P2LBBPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 820 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 33
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
820 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
750 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
AG-HYBRIDD-1
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
33
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2291788, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS820R08A6P2LBBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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