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| Artikel-Nr.: 3794E-2308427 Herst.-Nr.: AS4C32M16SB-7TIN EAN/GTIN: k.A. |
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| Speicher Größe = 512MBit Organisation = 32 M x 16 Datenumfang = 200MHz Datenbus-Breite = 16bit Adressbusbreite = 13bit Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 5.4ns Anzahl der Wörter = 32 M Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TSOP Pinanzahl = 54 Abmessungen = 22.35 x 10.29 x 1.2mm Höhe = 1.2mm Länge = 22.35mm Breite = 10.29mm
Der Alliance Memory 512 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 512 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 8M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung 8192 Aktualisierungszyklen/64 ms CKE-Abschaltmodus Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V. Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 512MBit | Organisation: | 32 M x 16 | Datenumfang: | 200MHz | Datenbus-Breite: | 16bit | Adressbusbreite: | 13bit | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 5.4ns | Anzahl der Wörter: | 32 M | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TSOP | Pinanzahl: | 54 | Abmessungen: | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | Höhe: | 1.2mm | Länge: | 22.35mm | Breite: | 10.29mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 2308427, Halbleiter, Speicherbausteine, SDRAM, Alliance Memory, AS4C32M16SB7TIN, Semiconductors, Memory Chips |
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