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Infineon CoolSiC IMW65R039M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2320387
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMW65R039M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,05 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
46 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
CoolSiC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,05 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2320387, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW65R039M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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