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| Artikel-Nr.:
3794E-2320398 Herst.-Nr.:
IMW65R107M1HXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,142 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolSiC Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,142 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolSiC |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 20a, 2320398, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW65R107M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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