| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2320405 Herst.-Nr.: IMZA65R039M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,05 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolSiC Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,05 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolSiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2320405, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZA65R039M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |