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| Artikel-Nr.: 3794E-2320409 Herst.-Nr.: IMZA65R057M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolSiC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,074 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolSiC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,074 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2320409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZA65R057M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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