| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2320419 Herst.-Nr.: IGLD60R190D1AUMA3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = LSON-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolGaN Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | LSON-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,19 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolGaN |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 2320419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGLD60R190D1AUMA3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |