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Infineon IGBT-Modul / 750 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2323046
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF750R12ME7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 750 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-ECONOD
Montage-Typ = Chassismontage
Transistor-Konfiguration = Serie
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
750 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
AG-ECONOD
Montage-Typ:
Chassismontage
Transistor-Konfiguration:
Serie
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2323046, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF750R12ME7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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