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Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2326716
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP75R12N2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Chassismontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 31
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Chassismontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
31
Transistor-Konfiguration:
3-phasig
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2326716, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP75R12N2T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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