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| Artikel-Nr.: 3794E-2326740 Herst.-Nr.: IKWH40N65WR6XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 40 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Konfiguration: | Single | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2326740, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKWH40N65WR6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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