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| Artikel-Nr.: 3794E-2332432 Herst.-Nr.: CM200DY-13T#300G EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 34 mm Transistor-Konfiguration = Dual Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 200 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Gehäusegröße: | 94 x 34 mm | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2332432, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM200DY13T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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