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Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2333498
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF600R12KT4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Dual
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Serie
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
600 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
2
Konfiguration:
Dual
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Serie
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2333498, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF600R12KT4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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