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| Artikel-Nr.: 3794E-2354855 Herst.-Nr.: IPD18DP10LMATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13,9 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2354855, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD18DP10LMATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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