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| Artikel-Nr.:
3794E-2363639 Herst.-Nr.:
BSC004NE2LS5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 479 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00045 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 479 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00045 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: 2363639, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC004NE2LS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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