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| Artikel-Nr.: 3794E-2363662 Herst.-Nr.: IPP65R090CFD7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,9 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,9 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2363662, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP65R090CFD7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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