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Infineon IGBT / 8 A 20V max. , 600 V 7,2 W PG-SOT223-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2408532
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKN06N60RC2ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 7,2 W
Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
7,2 W
Gehäusegröße:
PG-SOT223-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2408532, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKN06N60RC2ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Die Konditionen im Überblick1
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