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ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2412309
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGWS80TS65DGC13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
71 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Anzahl an Transistoren:
1
Konfiguration:
Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Weitere Suchbegriffe: 2412309, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGWS80TS65DGC13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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