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Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2420979
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKP28N65ES5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 130 W
Konfiguration = Single
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
38 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
130 W
Konfiguration:
Single
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2420979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP28N65ES5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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