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Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. Quad, 600 V 275 W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2445369
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F475R06W1E3BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 275 W
Konfiguration = Emitter-Collector, Quad (2 x Dual)
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
275 W
Konfiguration:
Emitter-Collector, Quad (2 x Dual)
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445369, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F475R06W1E3BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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