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Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2445817
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FD150R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 790 W
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
790 W
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445817, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FD150R12RT4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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