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Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2445835
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12KE3BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 280 W
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
280 W
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445835, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP50R12KE3BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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