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| Artikel-Nr.:
3794E-2445840 Herst.-Nr.:
FP75R12KT3BOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 7
Gehäusegröße = EconoPIM Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 105 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 7 | Gehäusegröße: | EconoPIM |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445840, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP75R12KT3BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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