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| Artikel-Nr.: 3794E-2445884 Herst.-Nr.: FZ600R17KE4HOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 840 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 840 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445884, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FZ600R17KE4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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