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Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. , 1200 V 4,3 kW

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-2445886

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
FZ900R12KE4HOSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon

Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 4,3 kW

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	900 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Gate-Source Spannung max.:	±20V
Verlustleistung max.:	4,3 kW

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445886, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FZ900R12KE4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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