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STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2484896
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGYA50M120DF3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 535 W
Gehäusegröße = Max. 247
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
535 W
Gehäusegröße:
Max. 247
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2484896, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGYA50M120DF3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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