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IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2486697
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM150GB12F4G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt semikron
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±15.0V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Halbbrücke
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±15.0V
Anzahl an Transistoren:
2
Konfiguration:
Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: 2486697, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Semikron, SKM150GB12F4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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