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IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2486699
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM200GB12F4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt semikron
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±15.0V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Halbbrücke
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
200 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±15.0V
Anzahl an Transistoren:
2
Konfiguration:
Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: 2486699, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Semikron, SKM200GB12F4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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