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Infineon IMBG65R030M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 63 A, 7-Pin TO-263-7
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
3794E-2489312
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IMBG65R030M1HXTMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 63 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
63 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263-7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
... >
Halbleiter
>
Diskrete Halbleiter
>
Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
2489312
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Infineon
,
IMBG65R030M1HXTMA1
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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Art
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Preis
Zubehör
Infineon Gate-Ansteuerungsmodul 9 A 6.5V 16-Pin PG-DSO-16 30ns
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1ED3890MC12MXUMA1
ab CHF 3.75*
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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 10 A 35V 8-Pin PG-DSO-8 30ns
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ab CHF 1.13*
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